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讲座报告

二维材料中的能谷电子学探索

来源:微电子学院          点击:
报告人 李靖 教授 时间 7月24日10:00
地点 北校区东大楼221报告厅 报告时间
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讲座名称:二维材料中的能谷电子学探索

讲座人:李靖 教授

讲座时间:7月24日10:00

讲座地点:北校区东大楼221报告厅


讲座人介绍:

李靖,武汉大学物理学院本科毕业,美国宾夕法尼亚州立大学物理学博士,美国洛斯阿拉莫斯国家实验室(美国脉冲强磁场实验室)实验室主任荣誉博士后。2020年入选国家高层次人才计划青年项目,湖北省特聘专家。现为华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心教授,博导,量子材料与器件实验室负责人。长期从事范德华二维材料、人工异质结和器件在极端条件下的量子输运和光-电-物质相互作用等方面的研究。

 

讲座内容:

相比于常规半导体材料,二维蜂窝状晶格结构材料拥有一个额外可被调控的电子自由度:能谷自由度;通过对这一新型自由度的调控可实现具有拓扑保护的一维无损耗电输运,进而产生新型能谷电子学器件。我们在双层石墨烯中通过分离式电栅构造能带反转结构,实现了理论预测的能谷-动量锁定的一维拓扑导电通道,即量子能谷霍尔效应;利用多组电栅对量子能谷霍尔边缘态的螺旋度进行操控,实现了类似于自旋电子学中自旋阀的能谷阀效应,同时实现基于能谷保护的无能耗电子束引导和分导操作,首次实现了实际意义上的功能性能谷电子学器件。另外,脉冲超强磁场为研究二维材料中的能谷电子学研究提供了更多的可能性:我将简单介绍通过高达60T脉冲磁场下针对微纳尺度器件的光-电耦合测试揭示的单层范德华二维半导体材料中自发的电子能谷-自旋极化现象。


主办单位:微电子学院

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